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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTD35N3LH5
STD35N3LH5 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STD35N3LH5 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STD35N3LH5
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STD35N3LH5
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
STD35N3LH5.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5210

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STD35N3LH5
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STD35N3LH5, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STD35N3LH5

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie STripFET™ V  
Rds On (max) a Id, Vgs 16mOhm @ 15A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 35W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 725 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Tc)  
Numero di prodotto di base STD35  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STD35N3LH5

Proprietà del prodotto STD35N3LH5 STD30PF03LT4 STD30NF06T4 STD35NF06LT4
Modello di prodotti STD35N3LH5 STD30PF03LT4 STD30NF06T4 STD35NF06LT4
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 35W (Tc) 70W (Tc) 70W (Tc) 80W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V 28 nC @ 5 V 58 nC @ 10 V 33 nC @ 4.5 V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Numero di prodotto di base STD35 STD30 STD30 STD35
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Tc) 24A (Tc) 28A (Tc) 35A (Tc)
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 60 V 60 V
Contenitore dispositivo fornitore DPAK DPAK DPAK DPAK
Rds On (max) a Id, Vgs 16mOhm @ 15A, 10V 28mOhm @ 12A, 10V 28mOhm @ 15A, 10V 17mOhm @ 17.5A, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 725 pF @ 25 V 1670 pF @ 25 V 1750 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±16V ±20V ±16V
Serie STripFET™ V STripFET™ II STripFET™ II STripFET™ II
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA

STD35N3LH5 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STD35N3LH5 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STD35N3LH5 - STMicroelectronics.

Packaging PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 01/Aug/2014.pdf STD DPAK 21-Mar-2022.pdf
Schede tecniche
STD35N3LH5.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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