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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTD28P3LLH6AG
STD28P3LLH6AG Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STD28P3LLH6AG - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STD28P3LLH6AG
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STD28P3LLH6AG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
STD28P3LLH6AG.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5070

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STD28P3LLH6AG
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STD28P3LLH6AG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STD28P3LLH6AG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±18V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ H6  
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 33W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1480 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)  
Numero di prodotto di base STD28  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STD28P3LLH6AG

Proprietà del prodotto STD28P3LLH6AG STD2HNK60Z STD2LN60K3 STD27N3LH5
Modello di prodotti STD28P3LLH6AG STD2HNK60Z STD2LN60K3 STD27N3LH5
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V 4.8Ohm @ 1A, 10V 4.5Ohm @ 1A, 10V 19mOhm @ 13.5A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base STD28 STD2HNK60 STD2LN60 STD27N
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 600 V 600 V 30 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 1V @ 250µA
Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ H6 SuperMESH™ SuperMESH3™ STripFET™ V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 4.6 nC @ 5 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1480 pF @ 25 V 280 pF @ 25 V 235 pF @ 50 V 475 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±18V ±30V ±30V ±22V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc) 2A (Tc) 2A (Tc) 27A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore DPAK DPAK DPAK DPAK
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 33W (Tc) 45W (Tc) 45W (Tc) 30W (Tc)

STD28P3LLH6AG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STD28P3LLH6AG PDF e la documentazione STMicroelectronics per STD28P3LLH6AG - STMicroelectronics.

Packaging PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Devices Testing 10/May/2018.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
STD DPAK 21-Mar-2022.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STD28P3LLH6AG

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