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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTD22NM20NT4
STD22NM20NT4 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STD22NM20NT4 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STD22NM20NT4
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STD22NM20NT4
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 22A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
STD22NM20N.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4340

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STD22NM20NT4
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STD22NM20NT4, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STD22NM20NT4

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie MDmesh™ II  
Rds On (max) a Id, Vgs 105mOhm @ 11A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Tc)  
Numero di prodotto di base STD22N  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STD22NM20NT4

Proprietà del prodotto STD22NM20NT4 STD20NF06T4 STD20NF06LT4 STD20NF20
Modello di prodotti STD22NM20NT4 STD20NF06T4 STD20NF06LT4 STD20NF20
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Serie MDmesh™ II STripFET™ II STripFET™ II STripFET™
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 60 V 60 V 200 V
Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc) 60W (Tc) 60W (Tc) 110W (Tc)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Tc) 24A (Tc) 24A (Tc) 18A (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V 690 pF @ 25 V 660 pF @ 25 V 940 pF @ 25 V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Numero di prodotto di base STD22N STD20 STD20 STD20
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 5V, 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±18V ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs 105mOhm @ 11A, 10V 40mOhm @ 12A, 10V 40mOhm @ 12A, 10V 125mOhm @ 10A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore DPAK DPAK DPAK DPAK

STD22NM20NT4 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STD22NM20NT4 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STD22NM20NT4 - STMicroelectronics.

Schede tecniche
STD22NM20N.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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