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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTD1HNC60T4
STD1HNC60T4 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STD1HNC60T4 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STD1HNC60T4
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STD1HNC60T4
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
STD1HNC60.pdf
In magazzino: 4970

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STD1HNC60T4
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STD1HNC60T4, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STD1HNC60T4

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie PowerMESH™ II  
Rds On (max) a Id, Vgs 5Ohm @ 1A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 228 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15.5 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Tc)  
Numero di prodotto di base STD1HN  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STD1HNC60T4

Proprietà del prodotto STD1HNC60T4 STD19NF20 STD19NF06L STD1HN60K3
Modello di prodotti STD1HNC60T4 STD19NF20 STD19NF06L STD1HN60K3
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±30V ±20V - ±30V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Contenitore dispositivo fornitore DPAK D-PAK (TO-252) - DPAK
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 228 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V - 140 pF @ 50 V
Numero di prodotto di base STD1HN STD19 STD19 STD1HN60
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Tc) 15A (Tc) - 1.2A (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15.5 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V - 9.5 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc) 90W (Tc) - 27W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 5Ohm @ 1A, 10V 160mOhm @ 7.5A, 10V - 8Ohm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA - 4.5V @ 50µA
Tipo FET N-Channel N-Channel - N-Channel
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie PowerMESH™ II MESH OVERLAY™ * SuperMESH3™
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 200 V - 600 V

STD1HNC60T4 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STD1HNC60T4 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STD1HNC60T4 - STMicroelectronics.

Schede tecniche
STD1HNC60.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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