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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTD10N60DM2
STD10N60DM2 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STD10N60DM2 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STD10N60DM2
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STD10N60DM2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
STD10N60DM2 Datasheet.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 52540

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STD10N60DM2
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STD10N60DM2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STD10N60DM2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie MDmesh™ DM2  
Rds On (max) a Id, Vgs 530mOhm @ 4A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 109W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 529 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)  
Numero di prodotto di base STD10  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STD10N60DM2

Proprietà del prodotto STD10N60DM2 STD100NH03LT4 STD10NF10T4 STD10N60M2
Modello di prodotti STD10N60DM2 STD100NH03LT4 STD10NF10T4 STD10N60M2
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 77 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V 13.5 nC @ 10 V
Serie MDmesh™ DM2 STripFET™ III STripFET™ II MDmesh™ II Plus
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 109W (Tc) 100W (Tc) 50W (Tc) 85W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±25V ±20V ±20V ±25V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 5V, 10V 10V 10V
Contenitore dispositivo fornitore DPAK DPAK DPAK DPAK
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 30 V 100 V 600 V
Numero di prodotto di base STD10 STD10 STD10 STD10
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc) 60A (Tc) 13A (Tc) 7.5A (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 530mOhm @ 4A, 10V 5.5mOhm @ 30A, 10V 130mOhm @ 5A, 10V 600mOhm @ 3A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 529 pF @ 100 V 4100 pF @ 15 V 460 pF @ 25 V 400 pF @ 100 V

STD10N60DM2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STD10N60DM2 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STD10N60DM2 - STMicroelectronics.

Packaging PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly Site 22/Dec/2022.pdf
Schede tecniche
STD10N60DM2 Datasheet.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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