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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTB4N62K3
STB4N62K3 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STB4N62K3 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STB4N62K3
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STB4N62K3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 620V 3.8A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
ST(B,D)4N62K3.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 30990

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STB4N62K3
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STB4N62K3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STB4N62K3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie SuperMESH3™  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.95Ohm @ 1.9A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 70W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 620 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A (Tc)  
Numero di prodotto di base STB4N  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STB4N62K3

Proprietà del prodotto STB4N62K3 STB4NK60ZT4 STB50N25M5 STB47N50DM6AG
Modello di prodotti STB4N62K3 STB4NK60ZT4 STB50N25M5 STB47N50DM6AG
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK D2PAK D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 5V @ 100µA 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±25V
Numero di prodotto di base STB4N STB4NK60 STB50N STB47
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 50 V 510 pF @ 25 V 1700 pF @ 50 V 2300 pF @ 100 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie SuperMESH3™ SuperMESH™ MDmesh™ V Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM6
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tensione drain-source (Vdss) 620 V 600 V 250 V 500 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V 57 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 70W (Tc) 70W (Tc) 110W (Tc) 250W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 1.95Ohm @ 1.9A, 10V 2Ohm @ 2A, 10V 65mOhm @ 14A, 10V 71mOhm @ 19A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A (Tc) 4A (Tc) 28A (Tc) 38A (Tc)

STB4N62K3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STB4N62K3 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STB4N62K3 - STMicroelectronics.

PCN Design/Specifica
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 01/Aug/2014.pdf
Schede tecniche
ST(B,D)4N62K3.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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