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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTB42N60M2-EP
STB42N60M2-EP Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STB42N60M2-EP - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STB42N60M2-EP
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STB42N60M2-EP
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
ST(B,P,W)42N60M2-EP.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 10987

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STB42N60M2-EP
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STB42N60M2-EP, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STB42N60M2-EP

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4.75V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie MDmesh™ M2-EP  
Rds On (max) a Id, Vgs 87mOhm @ 17A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2370 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 34A (Tc)  
Numero di prodotto di base STB42  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STB42N60M2-EP

Proprietà del prodotto STB42N60M2-EP STB40NS15T4 STB40NF20 STB43N60DM2
Modello di prodotti STB42N60M2-EP STB40NS15T4 STB40NF20 STB43N60DM2
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) D2PAK D2PAK D²PAK (TO-263)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 34A (Tc) 40A (Tc) 40A (Tc) 34A (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2370 pF @ 100 V 2420 pF @ 25 V 2500 pF @ 25 V 2500 pF @ 100 V
Numero di prodotto di base STB42 STB40N STB40 STB43
Rds On (max) a Id, Vgs 87mOhm @ 17A, 10V 52mOhm @ 20A, 10V 45mOhm @ 20A, 10V 93mOhm @ 17A, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±25V ±20V ±20V ±25V
Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc) 300W (Tc) 160W (Tc) 250W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 150 V 200 V 600 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (max) a Id 4.75V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie MDmesh™ M2-EP MESH OVERLAY™ STripFET™ MDmesh™ DM2
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Caratteristica FET - - - -

STB42N60M2-EP Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STB42N60M2-EP PDF e la documentazione STMicroelectronics per STB42N60M2-EP - STMicroelectronics.

Packaging PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Schede tecniche
ST(B,P,W)42N60M2-EP.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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