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STB36NM60ND Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STB36NM60ND - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STB36NM60ND
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STB36NM60ND
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
ST(B,W)36NM60ND.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 9222

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STB36NM60ND
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STB36NM60ND, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STB36NM60ND

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II  
Rds On (max) a Id, Vgs 110mOhm @ 14.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 190W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2785 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 80.4 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 29A (Tc)  
Numero di prodotto di base STB36  

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Proprietà del prodotto STB36NM60ND STB40N20 STB38N65M5 STB40N60M2
Modello di prodotti STB36NM60ND STB40N20 STB38N65M5 STB40N60M2
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) D2PAK D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipazione di potenza (max) 190W (Tc) 160W (Tc) 190W (Tc) 250W (Tc)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 110mOhm @ 14.5A, 10V 45mOhm @ 20A, 10V 95mOhm @ 15A, 10V 88mOhm @ 17A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 80.4 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V 57 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±25V ±20V ±25V ±25V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 29A (Tc) 40A (Tc) 30A (Tc) 34A (Tc)
Serie Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II STripFET™ MDmesh™ V MDmesh™ II Plus
Numero di prodotto di base STB36 STB40N STB38 STB40
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2785 pF @ 50 V 2500 pF @ 25 V 3000 pF @ 100 V 2500 pF @ 100 V
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 200 V 650 V 600 V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

STB36NM60ND Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STB36NM60ND PDF e la documentazione STMicroelectronics per STB36NM60ND - STMicroelectronics.

PCN Design/Specifica
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Devices Testing 10/May/2018.pdf
Schede tecniche
ST(B,W)36NM60ND.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
STx36NM60ND obs 26/May/2023.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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