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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTB21NK50Z
STB21NK50Z Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STB21NK50Z - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STB21NK50Z
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STB21NK50Z
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
STB21NK50Z.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4030

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STB21NK50Z
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STB21NK50Z, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STB21NK50Z

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie Automotive, AEC-Q101, SuperMESH™  
Rds On (max) a Id, Vgs 270mOhm @ 8.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 190W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 119 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc)  
Numero di prodotto di base STB21N  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STB21NK50Z

Proprietà del prodotto STB21NK50Z STB20NM60D STB21NM50N STB21NM60N
Modello di prodotti STB21NK50Z STB20NM60D STB21NM50N STB21NM60N
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 1950 pF @ 25 V 1900 pF @ 50 V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc) 20A (Tc) 18A (Tc) 17A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 119 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V 66 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±25V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Serie Automotive, AEC-Q101, SuperMESH™ FDmesh™ MDmesh™ II MDmesh™
Numero di prodotto di base STB21N STB20 STB21N STB21N
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 600 V 500 V 600 V
Dissipazione di potenza (max) 190W (Tc) 192W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 270mOhm @ 8.5A, 10V 290mOhm @ 10A, 10V 190mOhm @ 9A, 10V 220mOhm @ 8.5A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 100µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA

STB21NK50Z Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STB21NK50Z PDF e la documentazione STMicroelectronics per STB21NK50Z - STMicroelectronics.

Packaging PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf
PCN Design/Specifica
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Devices Testing 10/May/2018.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
STB21NK50Z 18/Jun/2018.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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