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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTB180N55F3
STB180N55F3 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STB180N55F3 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STB180N55F3
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STB180N55F3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
ST(B,P)180N55F3.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 9551

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STB180N55F3
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STB180N55F3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STB180N55F3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie STripFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.5mOhm @ 60A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 330W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)  
Numero di prodotto di base STB180N  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STB180N55F3

Proprietà del prodotto STB180N55F3 STB18N65M5 STB16NS25T4 STB170NF04
Modello di prodotti STB180N55F3 STB18N65M5 STB16NS25T4 STB170NF04
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 650 V 250 V 40 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipazione di potenza (max) 330W (Tc) 110W (Tc) 140W (Tc) 300W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 3.5mOhm @ 60A, 10V 220mOhm @ 7.5A, 10V 280mOhm @ 8A, 10V 5mOhm @ 40A, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) 15A (Tc) 16A (Tc) 80A (Tc)
Serie STripFET™ MDmesh™ V MESH OVERLAY™ STripFET™ II
Vgs (Max) ±20V ±25V ±20V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 25 V 1240 pF @ 100 V 1270 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V
Numero di prodotto di base STB180N STB18 STB16N STB170
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK D²PAK (TO-263) D2PAK D²PAK (TO-263)

STB180N55F3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STB180N55F3 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STB180N55F3 - STMicroelectronics.

PCN Obsolescence/ EOL
Power MOSFET Transistors 29/Jul/2013.pdf
Schede tecniche
ST(B,P)180N55F3.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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