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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTB15N65M5
STB15N65M5 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STB15N65M5 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STB15N65M5
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STB15N65M5
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
STB,D15N65M5.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3660

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STB15N65M5
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STB15N65M5, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STB15N65M5

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie MDmesh™ V  
Rds On (max) a Id, Vgs 340mOhm @ 5.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 85W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 810 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)  
Numero di prodotto di base STB15N  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STB15N65M5

Proprietà del prodotto STB15N65M5 STB150NF55T4 STB15N80K5 STB14NM65N
Modello di prodotti STB15N65M5 STB150NF55T4 STB15N80K5 STB14NM65N
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 810 pF @ 100 V 4400 pF @ 25 V 1100 pF @ 100 V 1300 pF @ 50 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc) 120A (Tc) 14A (Tc) 12A (Tc)
Serie MDmesh™ V STripFET™ II SuperMESH5™ MDmesh™ II
Rds On (max) a Id, Vgs 340mOhm @ 5.5A, 10V 6mOhm @ 60A, 10V 375mOhm @ 7A, 10V 380mOhm @ 6A, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base STB15N STB150 STB15 STB14N
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 55 V 800 V 650 V
Vgs (Max) ±25V ±20V ±30V ±25V
Dissipazione di potenza (max) 85W (Tc) 300W (Tc) 190W (Tc) 125W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) D2PAK D²PAK (TO-263) D2PAK
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)

STB15N65M5 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STB15N65M5 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STB15N65M5 - STMicroelectronics.

PCN Design/Specifica
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev OBS 3/Jul/2020.pdf
Schede tecniche
STB,D15N65M5.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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