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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTB100NF04T4
STB100NF04T4 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STB100NF04T4 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STB100NF04T4
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STB100NF04T4
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
STB100NF04T4.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 27930

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STB100NF04T4
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STB100NF04T4, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STB100NF04T4

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ II  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.6mOhm @ 50A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5100 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)  
Numero di prodotto di base STB100  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STB100NF04T4

Proprietà del prodotto STB100NF04T4 STB10N60M2 STB100NF03L-03-1 STB100N10F7
Modello di prodotti STB100NF04T4 STB10N60M2 STB100NF03L-03-1 STB100N10F7
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Numero di prodotto di base STB100 STB10 STB100N STB100
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 600 V 30 V 100 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) 85W (Tc) 300W (Tc) 150W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±25V ±16V ±20V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) 7.5A (Tc) 100A (Tc) 80A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V 13.5 nC @ 10 V 88 nC @ 5 V 61 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5100 pF @ 25 V 400 pF @ 100 V 6200 pF @ 25 V 4369 pF @ 50 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 4.6mOhm @ 50A, 10V 600mOhm @ 3A, 10V 3.2mOhm @ 50A, 10V 8mOhm @ 40A, 10V
Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ II MDmesh™ II Plus STripFET™ III DeepGATE™, STripFET™ VII
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK D²PAK (TO-263) I2PAK D²PAK (TO-263)

STB100NF04T4 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STB100NF04T4 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STB100NF04T4 - STMicroelectronics.

Packaging PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf
PCN Design/Specifica
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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