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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSSF2311S
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SSF2311S - Good-Ark Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
SSF2311S
fabbricante
Good-Ark Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-SSF2311S
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.7A, -20
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
SSF2311S.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 418000

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SSF2311S
Specifiche tecniche Good-Ark Semiconductor - SSF2311S, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Good-Ark Semiconductor - SSF2311S

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Good-Ark Semiconductor  
Vgs (th) (max) a Id -  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 3A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 1.56W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1230 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.7A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Good-Ark Semiconductor SSF2311S

Proprietà del prodotto SSF2311S SSF2318E SSF2314 SSF2341E
Modello di prodotti SSF2311S SSF2318E SSF2314 SSF2341E
fabbricante Good-Ark Semiconductor Good-Ark Semiconductor Good-Ark Semiconductor Good-Ark Semiconductor
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.7A (Tc) 6.5A 5.8A (Tc) 4A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 3A, 4.5V 22mOhm @ 6.5A, 4.5V 25mOhm @ 4A, 4.5V 43mOhm @ 4A, 4.5V
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Vgs (th) (max) a Id - 1V @ 250µA - 1V @ 250µA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Max) ±10V ±8V ±10V ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1230 pF @ 10 V 1160 pF @ 10 V 775 pF @ 10 V 939 pF @ 10 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V 10 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V 10 nC @ 4.5 V
Serie - - - -
Dissipazione di potenza (max) 1.56W (Tc) 1.4W 1.56W (Tc) 1.4W

SSF2311S Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SSF2311S PDF e la documentazione Good-Ark Semiconductor per SSF2311S - Good-Ark Semiconductor.

Schede tecniche
SSF2311S.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
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Medio Oriente Israele 6
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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