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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSMA5118
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SMA5118 - Sanken Electric USA Inc.

fabbricante Modello di prodotti
SMA5118
fabbricante
Sanken Electric USA Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-SMA5118
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 6N-CH 500V 5A 12-SIP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
12-SIP
Scheda dati
SMA5118.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
In magazzino: 3249

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SMA5118
Specifiche tecniche Sanken Electric USA Inc. - SMA5118, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Sanken Electric USA Inc. - SMA5118

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Sanken Electric USA Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 12-SIP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.4Ohm @ 2.5A, 10V  
Potenza - Max 4W  
Contenitore / involucro 12-SIP  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 770pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs -  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 500V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A  
Configurazione 6 N-Channel (3-Phase Bridge)  
Numero di prodotto di base SMA51  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Sanken Electric USA Inc. SMA5118

Proprietà del prodotto SMA5118 SMA5127 SMA5132 SMA5135
Modello di prodotti SMA5118 SMA5127 SMA5132 SMA5135
fabbricante Sanken Electric USA Inc. Sanken Electric USA Inc. Sanken Electric USA Inc. Sanken Electric USA Inc.
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) - 150°C
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA 2V @ 250µA - 2V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 1.4Ohm @ 2.5A, 10V 550mOhm @ 2A, 4V - 220mOhm @ 3A, 4V, 220mOhm @ 3A, 10V
Serie - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 500V 60V 500V 60V
Potenza - Max 4W 4W - 4W (Ta), 29W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - Standard
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Configurazione 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 3 N and 3 P-Channel (3 Phase Inverter)
Numero di prodotto di base SMA51 SMA51 SMA51 SMA51
Contenitore dispositivo fornitore 12-SIP 12-SIP 12-SIP 12-SIP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A 4A 1.5A 6A (Ta)
Contenitore / involucro 12-SIP 12-SIP 12-SIP 12-SIP
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 770pF @ 10V 150pF @ 10V - 320pF @ 10V, 790pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs - - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

SMA5118 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SMA5118 PDF e la documentazione Sanken Electric USA Inc. per SMA5118 - Sanken Electric USA Inc..

Schede tecniche
SMA5118.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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