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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciUPA3753GR-E1-AT
Renesas Electronics America
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

UPA3753GR-E1-AT - Renesas Electronics America

fabbricante Modello di prodotti
UPA3753GR-E1-AT
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-UPA3753GR-E1-AT
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerWDFN
Scheda dati
uPA3753GR.pdf
Stato RoHS
Senza piombo / RoHS conforme
In magazzino: 92930

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Specifiche

Specifiche tecnologiche UPA3753GR-E1-AT
Specifiche tecniche Renesas Electronics America - UPA3753GR-E1-AT, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas Electronics America - UPA3753GR-E1-AT

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (max) a Id -  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 56 mOhm @ 2.5A, 10V  
Potenza - Max 1.12W  
imballaggio Tape & Reel (TR)  
Contenitore / involucro 8-PowerWDFN  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)  
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13.4nC @ 10V  
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5A 1.12W Surface Mount 8-SOP  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Renesas Electronics America UPA3753GR-E1-AT

Proprietà del prodotto UPA3753GR-E1-AT UPA2987GS-E1 UPA46D UPA2981C
Modello di prodotti UPA3753GR-E1-AT UPA2987GS-E1 UPA46D UPA2981C
fabbricante Renesas Electronics America NEC NEC NEC
temperatura di esercizio 150°C (TJ) - - -
Potenza - Max 1.12W - - -
Tensione drain-source (Vdss) 60V - - -
Vgs (th) (max) a Id - - - -
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 10V - - -
imballaggio Tape & Reel (TR) - - -
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP - - -
Contenitore / involucro 8-PowerWDFN - - -
Serie - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 56 mOhm @ 2.5A, 10V - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13.4nC @ 10V - - -
Caratteristica FET Logic Level Gate - - -
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) - - -
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5A 1.12W Surface Mount 8-SOP - - -
Tipo montaggio Surface Mount - - -
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant - - -

UPA3753GR-E1-AT Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica UPA3753GR-E1-AT PDF e la documentazione Renesas Electronics America per UPA3753GR-E1-AT - Renesas Electronics America.

Specifiche
uPA3753GR.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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