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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciUPA2791GR-E1-AT
Renesas Electronics America Inc
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

UPA2791GR-E1-AT - Renesas Electronics America Inc

fabbricante Modello di prodotti
UPA2791GR-E1-AT
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-UPA2791GR-E1-AT
Modello ECAD
Descrizione delle parti
POWER, 5A, 30V, N-CHANNEL MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Scheda dati
UPA2791GR-E1-AT.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 50740

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Specifiche

Specifiche tecnologiche UPA2791GR-E1-AT
Specifiche tecniche Renesas Electronics America Inc - UPA2791GR-E1-AT, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas Electronics America Inc - UPA2791GR-E1-AT

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-PSOP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 36mOhm @ 3A, 10V  
Potenza - Max 2W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base UPA2791  

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Proprietà del prodotto UPA2791GR-E1-AT UPA2790GR-E1-AT UPA2792AGR-E1-AT UPA2790GR
Modello di prodotti UPA2791GR-E1-AT UPA2790GR-E1-AT UPA2792AGR-E1-AT UPA2790GR
fabbricante Renesas Electronics America Inc Renesas Renesas Electronics America Inc NEC
Potenza - Max 2W 1.7W (Ta) 2W -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 10V 500pF @ 10V, 460pF @ 10V 2200pF @ 10V -
Pacchetto Bulk Bulk Bulk -
Rds On (max) a Id, Vgs 36mOhm @ 3A, 10V 28mOhm @ 3A, 10V, 60mOhm @ 3A, 10V 12.5mOhm @ 5A, 10V -
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A 6A (Ta) 10A -
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 8-PowerSOIC (0.173", 4.40mm Width) -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Configurazione N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V 12.6nC @ 10V, 11nC @ 10V 42nC @ 10V -
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V 30V -
Numero di prodotto di base UPA2791 UPA2790 UPA2792 -
Contenitore dispositivo fornitore 8-PSOP 8-SOP 8-SOP -
Caratteristica FET Logic Level Gate - Logic Level Gate -
Serie - - - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C 150°C (TJ) -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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