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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciUPA2350T1G-E4-A
Renesas Electronics America Inc
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

UPA2350T1G-E4-A - Renesas Electronics America Inc

fabbricante Modello di prodotti
UPA2350T1G-E4-A
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-UPA2350T1G-E4-A
Modello ECAD
Descrizione delle parti
POWER, 2-ELEMENT, N-CH MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
4-XBGA, 4-FCBGA
Scheda dati
UPA2350T1G-E4-A.pdf
In magazzino: 41530

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Specifiche

Specifiche tecnologiche UPA2350T1G-E4-A
Specifiche tecniche Renesas Electronics America Inc - UPA2350T1G-E4-A, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas Electronics America Inc - UPA2350T1G-E4-A

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 4-FlipChip  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 35mOhm @ 3A, 4.5V  
Potenza - Max 1.3W  
Contenitore / involucro 4-XBGA, 4-FCBGA  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 542pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 4V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base UPA2350  

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Proprietà del prodotto UPA2350T1G-E4-A UPA2324T1P-E1-A UPA2350T1P-E4-A UPA2352BT1G-E4-A/JM
Modello di prodotti UPA2350T1G-E4-A UPA2324T1P-E1-A UPA2350T1P-E4-A UPA2352BT1G-E4-A/JM
fabbricante Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics Corporation
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 1mA - 1.5V @ 1mA -
Caratteristica FET Logic Level Gate - Logic Level Gate, 2.5V Drive -
Numero di prodotto di base UPA2350 UPA2324 UPA2350 -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 4V - 8.6nC @ 4V -
Serie - - - -
Tipo montaggio Surface Mount - Surface Mount -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 542pF @ 10V - 542pF @ 10V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) -
Contenitore / involucro 4-XBGA, 4-FCBGA - 4-XFBGA -
Potenza - Max 1.3W - 1.3W (Ta) -
Configurazione 2 N-Channel (Dual) - 2 N-Channel (Dual) Common Drain -
Tensione drain-source (Vdss) 20V - 20V -
Pacchetto Bulk Bulk Tape & Reel (TR) -
Contenitore dispositivo fornitore 4-FlipChip - 4-EFLIP-LGA (1.62x1.62) -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A - 6A (Ta) -
Rds On (max) a Id, Vgs 35mOhm @ 3A, 4.5V - 35mOhm @ 3A, 4.5V -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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