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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciUPA1857GR-9JG-E1-A
UPA1857GR-9JG-E1-A Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

UPA1857GR-9JG-E1-A - Renesas Electronics America Inc

fabbricante Modello di prodotti
UPA1857GR-9JG-E1-A
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-UPA1857GR-9JG-E1-A
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH DUAL 60V 8-TSSOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Scheda dati
UPA1857GR-9JG-E1-A.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 127190

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Specifiche

Specifiche tecnologiche UPA1857GR-9JG-E1-A
Specifiche tecniche Renesas Electronics America Inc - UPA1857GR-9JG-E1-A, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas Electronics America Inc - UPA1857GR-9JG-E1-A

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSSOP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 67mOhm @ 2A, 10V  
Potenza - Max 1.7W  
Contenitore / involucro 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 580pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base UPA1857  

Componenti con specifiche simili

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Proprietà del prodotto UPA1857GR-9JG-E1-A UPA1852GR-9JG UPA1857GR-9JG-E1 UPA1870BGR-9JG-E1-A/JC
Modello di prodotti UPA1857GR-9JG-E1-A UPA1852GR-9JG UPA1857GR-9JG-E1 UPA1870BGR-9JG-E1-A/JC
fabbricante Renesas Electronics America Inc NEC NEC NEC
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V - - -
Numero di prodotto di base UPA1857 - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 580pF @ 10V - - -
Serie - - - -
Potenza - Max 1.7W - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 67mOhm @ 2A, 10V - - -
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSSOP - - -
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA - - -
Tipo montaggio Surface Mount - - -
Tensione drain-source (Vdss) 60V - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A - - -
Caratteristica FET Logic Level Gate - - -
Contenitore / involucro 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) - - -
Configurazione 2 N-Channel (Dual) - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) - - -

UPA1857GR-9JG-E1-A Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica UPA1857GR-9JG-E1-A PDF e la documentazione Renesas Electronics America Inc per UPA1857GR-9JG-E1-A - Renesas Electronics America Inc.

Packaging PCN
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 28/Aug/2013.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Wafer Fabrication Site Change 10/Oct/2013.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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