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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciUPA1770G-E1-A
Renesas
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

UPA1770G-E1-A - Renesas

fabbricante Modello di prodotti
UPA1770G-E1-A
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-UPA1770G-E1-A
Modello ECAD
Descrizione delle parti
UPA1770G - SWITCHING DUAL P-CHAN
Pacchetto
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Scheda dati
UPA1770G-E1-A.pdf
La nostra certificazione
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Specifiche

Specifiche tecnologiche UPA1770G-E1-A
Specifiche tecniche Renesas - UPA1770G-E1-A, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas - UPA1770G-E1-A

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 37mOhm @ 3A, 4.5V  
Potenza - Max 750mW (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Ta)  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base UPA1770  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS RoHS non conforme
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Raggiungere lo stato Vendor Undefined
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Renesas UPA1770G-E1-A

Proprietà del prodotto UPA1770G-E1-A UPA1764G(0)-E2-AT UPA1764G-E2-AZ UPA1770G-E2
Modello di prodotti UPA1770G-E1-A UPA1764G(0)-E2-AT UPA1764G-E2-AZ UPA1770G-E2
fabbricante Renesas Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc NEC
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V - 29nC @ 10V -
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Serie - - - -
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) - 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) -
Configurazione 2 N-Channel (Dual) - 2 N-Channel (Dual) -
Tensione drain-source (Vdss) 20V - 60V -
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 1mA - - -
Potenza - Max 750mW (Ta) - 2W -
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP - 8-SOP -
Numero di prodotto di base UPA1770 UPA1764 UPA1764 -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) -
Rds On (max) a Id, Vgs 37mOhm @ 3A, 4.5V - 35mOhm @ 3.5A, 10V -
temperatura di esercizio 150°C - 150°C (TJ) -
Tipo montaggio Surface Mount - Surface Mount -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Ta) - 7A -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 10V - 1300pF @ 10V -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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