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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRJK0332DPB-01#J0
Renesas Electronics America Inc
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RJK0332DPB-01#J0 - Renesas Electronics America Inc

fabbricante Modello di prodotti
RJK0332DPB-01#J0
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-RJK0332DPB-01#J0
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-100, SOT-669
Scheda dati
RJK0332DPB-01#J0.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 50780

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Specifiche

Specifiche tecnologiche RJK0332DPB-01#J0
Specifiche tecniche Renesas Electronics America Inc - RJK0332DPB-01#J0, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas Electronics America Inc - RJK0332DPB-01#J0

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.7mOhm @ 17.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc)  
Contenitore / involucro SC-100, SOT-669  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2180 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Ta)  
Numero di prodotto di base RJK0332  

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Modello di prodotti RJK0332DPB-01#J0 RJK0331DPB-01#J0 RJK0346DPA-00#J0 RJK0330DPB-01#J0
fabbricante Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
Rds On (max) a Id, Vgs 4.7mOhm @ 17.5A, 10V 3.4mOhm @ 20A, 10V 2mOhm @ 32.5A, 10V 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Ta) 40A (Ta) 65A (Ta) 45A (Ta)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK LFPAK 8-WPAK (3) LFPAK
Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc) 50W (Tc) 65W (Tc) 55W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA - - -
Numero di prodotto di base RJK0332 - - RJK0330
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - - 4.5V, 10V
Contenitore / involucro SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669 8-PowerWDFN SC-100, SOT-669
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2180 pF @ 10 V 3380 pF @ 10 V 7650 pF @ 10 V 4300 pF @ 10 V
Vgs (Max) ±20V - - ±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V 22 nC @ 4.5 V 49 nC @ 4.5 V 27 nC @ 4.5 V

RJK0332DPB-01#J0 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RJK0332DPB-01#J0 PDF e la documentazione Renesas Electronics America Inc per RJK0332DPB-01#J0 - Renesas Electronics America Inc.

Packaging PCN
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Power Transistors Relocation 12/Nov/2013.pdf

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