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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciRJK0216DPA-00#J53
Renesas Electronics America Inc
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RJK0216DPA-00#J53 - Renesas Electronics America Inc

fabbricante Modello di prodotti
RJK0216DPA-00#J53
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-RJK0216DPA-00#J53
Modello ECAD
Descrizione delle parti
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-WFDFN
Scheda dati
RJK0216DPA-00#J53.pdf
In magazzino: 31702

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Specifiche

Specifiche tecnologiche RJK0216DPA-00#J53
Specifiche tecniche Renesas Electronics America Inc - RJK0216DPA-00#J53, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas Electronics America Inc - RJK0216DPA-00#J53

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (max) a Id -  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-DFN (5x6)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 9.2mOhm @ 7.5A, 10V  
Potenza - Max 10W, 20W  
Contenitore / involucro 8-WFDFN  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1130pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.2nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate, 4.5V Drive  
Tensione drain-source (Vdss) 25V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A, 32A  
Configurazione 2 N-Channel (Half Bridge)  
Numero di prodotto di base RJK0216  

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Proprietà del prodotto RJK0216DPA-00#J53 RJK0230DPA-00#J5A RJK0226DNS-00#J5 RJK0216DPA-00-J53
Modello di prodotti RJK0216DPA-00#J53 RJK0230DPA-00#J5A RJK0226DNS-00#J5 RJK0216DPA-00-J53
fabbricante Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Nexperia USA Inc. Renesas Electronics Corporation
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1130pF @ 10V 1650pF @ 10V 6020 pF @ 10 V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A, 32A 20A, 50A 40A (Ta) -
Contenitore / involucro 8-WFDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN -
Rds On (max) a Id, Vgs 9.2mOhm @ 7.5A, 10V 7mOhm @ 10A, 10V 2.8mOhm @ 20A, 8V -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Potenza - Max 10W, 20W 15W, 35W - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.2nC @ 4.5V 7.7nC @ 4.5V 8 nC @ 4.5 V -
Vgs (th) (max) a Id - - 2.5V @ 1mA -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C -
Pacchetto Bulk Bulk Bulk -
Configurazione 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) - -
Caratteristica FET Logic Level Gate, 4.5V Drive Logic Level Gate - -
Tensione drain-source (Vdss) 25V 25V 25 V -
Contenitore dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) 8-WPAK-D 8-HVSON (3x3.3) -
Serie - - - -
Numero di prodotto di base RJK0216 RJK0230D - -

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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