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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistori-IGBTs-singoloRBN40H125S1FPQ-A0#CB0
Renesas Electronics America Inc
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RBN40H125S1FPQ-A0#CB0 - Renesas Electronics America Inc

fabbricante Modello di prodotti
RBN40H125S1FPQ-A0#CB0
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-RBN40H125S1FPQ-A0#CB0
Modello ECAD
Descrizione delle parti
ABU / IGBT
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
RBN40H125S1FPQ-A0#CB0.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 8060

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Specifiche

Specifiche tecnologiche RBN40H125S1FPQ-A0#CB0
Specifiche tecniche Renesas Electronics America Inc - RBN40H125S1FPQ-A0#CB0, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas Electronics America Inc - RBN40H125S1FPQ-A0#CB0

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1250 V  
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.34V @ 15V, 40A  
Condizione di test 600V, 40A, 10Ohm, 15V  
Td (on / off) @ 25 ° C 25ns/124ns  
di scambio energetico 2mJ (on), 1.4mJ (off)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247A  
Serie -  
Tempo di ripristino inverso (trr) 156 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Potenza - Max 319 W  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Tipo di ingresso Standard  
Tipo IGBT Trench  
carica gate 85 nC  
Corrente - collettore (Ic) (max) 80 A  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Renesas Electronics America Inc RBN40H125S1FPQ-A0#CB0

Proprietà del prodotto RBN40H125S1FPQ-A0#CB0 STGD10NC60KDT4 IXGH35N120C APT75GN60LDQ3G
Modello di prodotti RBN40H125S1FPQ-A0#CB0 STGD10NC60KDT4 IXGH35N120C APT75GN60LDQ3G
fabbricante Renesas Electronics America Inc STMicroelectronics IXYS Microchip Technology
Contenitore dispositivo fornitore TO-247A DPAK TO-247AD TO-264 [L]
Serie - PowerMESH™ Lightspeed™ -
carica gate 85 nC 19 nC 170 nC 485 nC
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1250 V 600 V 1200 V 600 V
Tempo di ripristino inverso (trr) 156 ns 22 ns - -
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.34V @ 15V, 40A 2.5V @ 15V, 5A 4V @ 15V, 35A 1.85V @ 15V, 75A
Td (on / off) @ 25 ° C 25ns/124ns 17ns/72ns 50ns/150ns 47ns/385ns
Condizione di test 600V, 40A, 10Ohm, 15V 390V, 5A, 10Ohm, 15V 960V, 35A, 5Ohm, 15V 400V, 75A, 1Ohm, 15V
Tipo di ingresso Standard Standard Standard Standard
Potenza - Max 319 W 62 W 300 W 536 W
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Corrente - collettore (Ic) (max) 80 A 20 A 70 A 155 A
temperatura di esercizio 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-247-3 TO-264-3, TO-264AA
di scambio energetico 2mJ (on), 1.4mJ (off) 55µJ (on), 85µJ (off) 3mJ (off) 2500µJ (on), 2140µJ (off)
Tipo IGBT Trench - - Trench Field Stop

RBN40H125S1FPQ-A0#CB0 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RBN40H125S1FPQ-A0#CB0 PDF e la documentazione Renesas Electronics America Inc per RBN40H125S1FPQ-A0#CB0 - Renesas Electronics America Inc.

Packaging PCN
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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