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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)MemoriaR1LV5256ESP-5SI#B0
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

R1LV5256ESP-5SI#B0 - Renesas Electronics America

fabbricante Modello di prodotti
R1LV5256ESP-5SI#B0
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-R1LV5256ESP-5SI#B0
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
28-SOIC (0.330", 8.38mm Width)
Scheda dati
R1LV5256E.pdf
Stato RoHS
Senza piombo / RoHS conforme
In magazzino: 18699

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche R1LV5256ESP-5SI#B0
Specifiche tecniche Renesas Electronics America - R1LV5256ESP-5SI#B0, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas Electronics America - R1LV5256ESP-5SI#B0

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 55ns  
Tensione di alimentazione - 2.7 V ~ 3.6 V  
Tecnologia SRAM  
Contenitore dispositivo fornitore 28-SOP  
Serie -  
imballaggio Tube  
Contenitore / involucro 28-SOIC (0.330", 8.38mm Width)  
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)  
Tipo di memoria Volatile  
Dimensione della memoria 256Kb (32K x 8)  
Interfaccia di memoria Parallel  
Formato di memoria SRAM  
Produttore tempi di consegna standard 18 Weeks  
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant  
Descrizione dettagliata SRAM Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 55ns 28-SOP  
Numero di parte base R1LV5256E  
Tempo di accesso 55ns  

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Proprietà del prodotto R1LV5256ESP-5SI#B0 R1LV5256ESP-7SR#S0 R1LV5256ESA-5SI#S0 R1LV5256ESA-5SR#S0
Modello di prodotti R1LV5256ESP-5SI#B0 R1LV5256ESP-7SR#S0 R1LV5256ESA-5SI#S0 R1LV5256ESA-5SR#S0
fabbricante Renesas Electronics America Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
Formato di memoria SRAM SRAM SRAM SRAM
Contenitore / involucro 28-SOIC (0.330", 8.38mm Width) 28-SOIC (0.342', 8.69mm Width) 28-TSSOP (0.465', 11.80mm Width) 28-TSSOP (0.465', 11.80mm Width)
Tensione di alimentazione - 2.7 V ~ 3.6 V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V
Tempo di accesso 55ns 70 ns 55 ns 55 ns
Serie - - - -
Tipo di memoria Volatile Volatile Volatile Volatile
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant - - -
Produttore tempi di consegna standard 18 Weeks - - -
Contenitore dispositivo fornitore 28-SOP 28-SOP 28-TSOP I 28-TSOP
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 55ns 70ns 55ns 55ns
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Interfaccia di memoria Parallel Parallel Parallel Parallel
Dimensione della memoria 256Kb (32K x 8) 256Kbit 256Kbit 256Kbit
Numero di parte base R1LV5256E - - -
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) - - -
Descrizione dettagliata SRAM Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 55ns 28-SOP - - -
Tecnologia SRAM SRAM SRAM SRAM
imballaggio Tube - - -

R1LV5256ESP-5SI#B0 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica R1LV5256ESP-5SI#B0 PDF e la documentazione Renesas Electronics America per R1LV5256ESP-5SI#B0 - Renesas Electronics America.

Specifiche
R1LV5256E.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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