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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNP90N04VLK-E1-AY
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NP90N04VLK-E1-AY - Renesas Electronics America Inc

fabbricante Modello di prodotti
NP90N04VLK-E1-AY
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-NP90N04VLK-E1-AY
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 90A TO252
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
NP90N04VLK-E1-AY.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 24598

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NP90N04VLK-E1-AY
Specifiche tecniche Renesas Electronics America Inc - NP90N04VLK-E1-AY, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas Electronics America Inc - NP90N04VLK-E1-AY

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252 (MP-3ZP)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.8mOhm @ 45A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.2W (Ta), 147W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 175°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5700 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 102 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 90A (Tc)  
Numero di prodotto di base NP90N04  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Renesas Electronics America Inc NP90N04VLK-E1-AY

Proprietà del prodotto NP90N04VLK-E1-AY NP90N03VLG-E1-AY NP90N04VUK-E1-AY NP90N03VHG-E1-AY
Modello di prodotti NP90N04VLK-E1-AY NP90N03VLG-E1-AY NP90N04VUK-E1-AY NP90N03VHG-E1-AY
fabbricante Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 30 V 40 V 30 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5700 pF @ 25 V 7500 pF @ 25 V 5850 pF @ 25 V 7500 pF @ 25 V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dissipazione di potenza (max) 1.2W (Ta), 147W (Tc) 1.2W (Ta), 105W (Tc) 1.2W (Ta), 147W (Tc) 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 102 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V 102 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V
temperatura di esercizio 175°C 175°C (TJ) 175°C (TJ) 175°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore TO-252 (MP-3ZP) TO-252 TO-252 TO-252
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 90A (Tc) 90A (Tc) 90A (Tc) 90A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 2.8mOhm @ 45A, 10V 3.2mOhm @ 45A, 10V 2.8mOhm @ 45A, 10V 3.2mOhm @ 45A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base NP90N04 - NP90N04 NP90N03

NP90N04VLK-E1-AY Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NP90N04VLK-E1-AY PDF e la documentazione Renesas Electronics America Inc per NP90N04VLK-E1-AY - Renesas Electronics America Inc.

Packaging PCN
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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