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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNP89N04PUK-E1-AY
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NP89N04PUK-E1-AY - Renesas Electronics America Inc

fabbricante Modello di prodotti
NP89N04PUK-E1-AY
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-NP89N04PUK-E1-AY
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 90A TO263
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
NP89N04PUK-E1-AY.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 26267

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NP89N04PUK-E1-AY
Specifiche tecniche Renesas Electronics America Inc - NP89N04PUK-E1-AY, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas Electronics America Inc - NP89N04PUK-E1-AY

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-263  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.95mOhm @ 45A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta), 147W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5850 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 102 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 90A (Tc)  
Numero di prodotto di base NP89N04  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Renesas Electronics America Inc NP89N04PUK-E1-AY

Proprietà del prodotto NP89N04PUK-E1-AY NP88N04KUG-E1-AY NP88N04CHE NP88N055ELE
Modello di prodotti NP89N04PUK-E1-AY NP88N04KUG-E1-AY NP88N04CHE NP88N055ELE
fabbricante Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics Corporation NEC
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - -
Numero di prodotto di base NP89N04 - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 90A (Tc) 88A (Tc) - -
Serie - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5850 pF @ 25 V 15000 pF @ 25 V - -
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB - -
Rds On (max) a Id, Vgs 2.95mOhm @ 45A, 5V 2.9mOhm @ 44A, 10V - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 102 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V - -
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 TO-263 (D²Pak) - -
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA - -
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta), 147W (Tc) 1.8W (Ta), 200W (Tc) - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
temperatura di esercizio 175°C (TJ) 175°C (TJ) - -

NP89N04PUK-E1-AY Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NP89N04PUK-E1-AY PDF e la documentazione Renesas Electronics America Inc per NP89N04PUK-E1-AY - Renesas Electronics America Inc.

Packaging PCN
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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