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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNP82N10PUF-E1-AY
Renesas
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NP82N10PUF-E1-AY - Renesas

fabbricante Modello di prodotti
NP82N10PUF-E1-AY
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-NP82N10PUF-E1-AY
Modello ECAD
Descrizione delle parti
NP82N10PUF-E1-AY - MOS FIELD EFF
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
NP82N10PUF-E1-AY.pdf
In magazzino: 19433

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NP82N10PUF-E1-AY
Specifiche tecniche Renesas - NP82N10PUF-E1-AY, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas - NP82N10PUF-E1-AY

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 3.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-263-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 15mOhm @ 41A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta), 150W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 175°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4350 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 96 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5.8V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 82A (Tc)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Renesas NP82N10PUF-E1-AY

Proprietà del prodotto NP82N10PUF-E1-AY NP83P04PDG-E1-AY NP83P06PDG-E1-AY NP82N03PUG-E1-AZ/JM
Modello di prodotti NP82N10PUF-E1-AY NP83P04PDG-E1-AY NP83P06PDG-E1-AY NP82N03PUG-E1-AZ/JM
fabbricante Renesas Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics Corporation
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 96 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V -
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 40 V 60 V -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4350 pF @ 25 V 9820 pF @ 10 V 10100 pF @ 10 V -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Rds On (max) a Id, Vgs 15mOhm @ 41A, 10V 5.3mOhm @ 41.5A, 10V 8.8mOhm @ 41.5A, 10V -
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta), 150W (Tc) - 1.8W (Ta), 150W (Tc) -
Vgs (th) (max) a Id 3.3V @ 250µA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA -
Tipo FET N-Channel P-Channel P-Channel -
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5.8V, 10V - 4.5V, 10V -
Contenitore dispositivo fornitore TO-263-3 TO-263 TO-263 -
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Vgs (Max) ±20V - ±20V -
Serie - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 82A (Tc) 83A (Tc) 83A (Tc) -
temperatura di esercizio 175°C - 175°C (TJ) -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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