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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNP60N06PDK-E1-AY
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NP60N06PDK-E1-AY - Renesas Electronics America Inc

fabbricante Modello di prodotti
NP60N06PDK-E1-AY
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-NP60N06PDK-E1-AY
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET TRANSISTOR MORE 1 W
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
NP60N06PDK-E1-AY.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 40810

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NP60N06PDK-E1-AY
Specifiche tecniche Renesas Electronics America Inc - NP60N06PDK-E1-AY, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas Electronics America Inc - NP60N06PDK-E1-AY

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-263-3  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 12mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 105W  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 60A  
Numero di prodotto di base NP60N06  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Renesas Electronics America Inc NP60N06PDK-E1-AY

Proprietà del prodotto NP60N06PDK-E1-AY NP60N04VUK-E1-AY NTMFS008N12MCT1G NP60N03SUG-E1-AY
Modello di prodotti NP60N06PDK-E1-AY NP60N04VUK-E1-AY NTMFS008N12MCT1G NP60N03SUG-E1-AY
fabbricante Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc onsemi Renesas Electronics America Inc
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 60A 60A (Tc) 12A (Ta), 79A (Tc) 60A (Tc)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 12mOhm @ 30A, 10V 3.85mOhm @ 30A, 10V 8mOhm @ 36A, 10V 3.8mOhm @ 30A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-263-3 TO-252 5-DFN (5x6) (8-SOFL) TO-252 (MP-3ZK)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-PowerTDFN, 5 Leads TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V 3680 pF @ 25 V 2705 pF @ 60 V 7500 pF @ 25 V
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 175°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 40 V 120 V 30 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 6V, 10V 10V
Numero di prodotto di base NP60N06 NP60N04 - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 105W 1.2W (Ta), 105W (Tc) 2.7W (Ta), 102W (Tc) 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 200µA 4V @ 250µA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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