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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNP50P04SDG-E1-AY
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NP50P04SDG-E1-AY - Renesas Electronics America Inc

fabbricante Modello di prodotti
NP50P04SDG-E1-AY
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-NP50P04SDG-E1-AY
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
NP50P04SDG-E1-AY.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 29180

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NP50P04SDG-E1-AY
Specifiche tecniche Renesas Electronics America Inc - NP50P04SDG-E1-AY, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas Electronics America Inc - NP50P04SDG-E1-AY

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252 (MP-3ZK)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 9.6mOhm @ 25A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.2W (Ta), 84W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)  
Numero di prodotto di base NP50P04  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Renesas Electronics America Inc NP50P04SDG-E1-AY

Proprietà del prodotto NP50P04SDG-E1-AY NP50P06KDG-E1-AY NP50P03YDG-E1-AY NP52N06SLG-E1-AY
Modello di prodotti NP50P04SDG-E1-AY NP50P06KDG-E1-AY NP50P03YDG-E1-AY NP52N06SLG-E1-AY
fabbricante Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America
Rds On (max) a Id, Vgs 9.6mOhm @ 25A, 10V 17mOhm @ 25A, 10V 8.4mOhm @ 25A, 10V 52A (Tc)
Numero di prodotto di base NP50P04 NP50P06 NP50P03 -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 1.2W (Ta), 84W (Tc) 1.8W (Ta), 90W (Tc) 1W (Ta), 102W (Tc) -
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 60 V 30 V -
Contenitore dispositivo fornitore TO-252 (MP-3ZK) TO-263 8-HSON -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 96 nC @ 10 V -
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad -
Serie - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc) 60V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel -
temperatura di esercizio 175°C (TJ) 175°C (TJ) 175°C (TJ) 175°C (TJ)
Caratteristica FET - - - N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 250µA 17.5 mOhm @ 26A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 5V, 10V -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 10 V 5000 pF @ 10 V 3500 pF @ 25 V 39nC @ 10V

NP50P04SDG-E1-AY Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NP50P04SDG-E1-AY PDF e la documentazione Renesas Electronics America Inc per NP50P04SDG-E1-AY - Renesas Electronics America Inc.

Packaging PCN
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf

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