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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNP161N04TUG-E1-AY
Renesas Electronics America Inc
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NP161N04TUG-E1-AY - Renesas Electronics America Inc

fabbricante Modello di prodotti
NP161N04TUG-E1-AY
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-NP161N04TUG-E1-AY
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Scheda dati
NP161N04TUG-E1-AY.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 11003

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NP161N04TUG-E1-AY
Specifiche tecniche Renesas Electronics America Inc - NP161N04TUG-E1-AY, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas Electronics America Inc - NP161N04TUG-E1-AY

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-263-7  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.8mOhm @ 80A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta), 250W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 20.25 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 345 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 160A (Tc)  

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Proprietà del prodotto NP161N04TUG-E1-AY NP160N04TDG-E1-AY NP15P06SLG-E1-AY NP180N04TUG-E1-AY
Modello di prodotti NP161N04TUG-E1-AY NP160N04TDG-E1-AY NP15P06SLG-E1-AY NP180N04TUG-E1-AY
fabbricante Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
Serie - - - -
Contenitore / involucro TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 20.25 pF @ 25 V 15750 pF @ 25 V 1100 pF @ 10 V 25700 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta), 250W (Tc) 1.8W (Ta), 220W (Tc) 1.2W (Ta), 30W (Tc) 1.8W (Ta), 288W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 60 V 40 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-263-7 TO-263-7 TO-252 (MP-3ZK) TO-263-7
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 345 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 390 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 160A (Tc) 160A (Ta) 15A (Ta) 180A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 1.8mOhm @ 80A, 10V 2mOhm @ 80A, 10V 70mOhm @ 7.5A, 10V 1.5mOhm @ 90A, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio 175°C (TJ) 175°C (TJ) 175°C (TJ) 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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