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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)PMIC-Gate driverISL6612ACBZ-T
ISL6612ACBZ-T Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

ISL6612ACBZ-T - Renesas Electronics America Inc

fabbricante Modello di prodotti
ISL6612ACBZ-T
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-ISL6612ACBZ-T
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
ISL6612ACBZ-T.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 15412

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Specifiche

Specifiche tecnologiche ISL6612ACBZ-T
Specifiche tecniche Renesas Electronics America Inc - ISL6612ACBZ-T, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas Electronics America Inc - ISL6612ACBZ-T

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Tensione di alimentazione - 10.8V ~ 13.2V  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 26ns, 18ns  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio 0°C ~ 125°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 2  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tensione logica - VIL, VIH -  
Tipo di ingresso Non-Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 36 V  
Tipo di porta N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata Half-Bridge  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 1.25A, 2A  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Synchronous  
Numero di prodotto di base ISL6612  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Renesas Electronics America Inc ISL6612ACBZ-T

Proprietà del prodotto ISL6612ACBZ-T ISL6612AECBZ-T ISL6612ACRZ ISL6612ACB-T
Modello di prodotti ISL6612ACBZ-T ISL6612AECBZ-T ISL6612ACRZ ISL6612ACB-T
fabbricante Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
Serie - - - -
Numero di prodotto di base ISL6612 ISL6612 ISL6612 ISL6612
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 36 V 36 V 36 V 36 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione di alimentazione - 10.8V ~ 13.2V 10.8V ~ 13.2V 10.8V ~ 13.2V 10.8V ~ 13.2V
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 1.25A, 2A 1.25A, 2A 1.25A, 2A 1.25A, 2A
temperatura di esercizio 0°C ~ 125°C (TJ) 0°C ~ 125°C (TJ) 0°C ~ 125°C (TJ) 0°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di ingresso Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC-EP 10-DFN (3x3) 8-SOIC
Configurazione guidata Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Frequenza di ingresso 2 2 2 2
Tempo di salita / scadenza (Typ) 26ns, 18ns 26ns, 18ns 26ns, 18ns 26ns, 18ns
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Synchronous Synchronous Synchronous Synchronous
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Tensione logica - VIL, VIH - - - -
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad 10-VFDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Tipo di porta N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET

ISL6612ACBZ-T Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ISL6612ACBZ-T PDF e la documentazione Renesas Electronics America Inc per ISL6612ACBZ-T - Renesas Electronics America Inc.

Packaging PCN
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assembly/Mat Chg 4/Jun/2020.pdf
PCN Design/Specifica
New T-type End Plug 08/Jun/2016.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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