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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)PMIC-Gate driverISL6609AIRZ
ISL6609AIRZ Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

ISL6609AIRZ - Renesas Electronics America Inc

fabbricante Modello di prodotti
ISL6609AIRZ
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-ISL6609AIRZ
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8QFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-VQFN Exposed Pad
Scheda dati
ISL6609AIRZ.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 19666

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Specifiche

Specifiche tecnologiche ISL6609AIRZ
Specifiche tecniche Renesas Electronics America Inc - ISL6609AIRZ, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas Electronics America Inc - ISL6609AIRZ

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Tensione di alimentazione - 4.5V ~ 5.5V  
Contenitore dispositivo fornitore 8-QFN (3x3)  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 8ns, 8ns  
Contenitore / involucro 8-VQFN Exposed Pad  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 2  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tensione logica - VIL, VIH 1V, 2V  
Tipo di ingresso Non-Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 36 V  
Tipo di porta N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata Half-Bridge  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) -, 4A  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Synchronous  
Numero di prodotto di base ISL6609  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Renesas Electronics America Inc ISL6609AIRZ

Proprietà del prodotto ISL6609AIRZ ISL6608CBZ-T ISL6609IBZ-T ISL6609IBZ
Modello di prodotti ISL6609AIRZ ISL6608CBZ-T ISL6609IBZ-T ISL6609IBZ
fabbricante Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
Tensione logica - VIL, VIH 1V, 2V - 1V, 2V 1V, 2V
temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ) 0°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di porta N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Synchronous Synchronous Synchronous Synchronous
Frequenza di ingresso 2 2 2 2
Contenitore dispositivo fornitore 8-QFN (3x3) 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Contenitore / involucro 8-VQFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) -, 4A 2A, 2A -, 4A -, 4A
Serie - - - -
Tensione di alimentazione - 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V
Tempo di salita / scadenza (Typ) 8ns, 8ns 8ns, 8ns 8ns, 8ns 8ns, 8ns
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Numero di prodotto di base ISL6609 ISL6608 ISL6609 ISL6609
Tipo di ingresso Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 36 V 22 V 36 V 36 V
Configurazione guidata Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge

ISL6609AIRZ Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ISL6609AIRZ PDF e la documentazione Renesas Electronics America Inc per ISL6609AIRZ - Renesas Electronics America Inc.

Packaging PCN
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Obs Notice 22/Jul/2022.pdf
PCN Altro
Bond Wire and Assembly Facilities 21/Nov/2013.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Wire Material/Site Chgs 20/Nov/2020.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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