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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)MemoriaIDT6116LA20TP
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IDT6116LA20TP - Renesas Electronics America Inc

fabbricante Modello di prodotti
IDT6116LA20TP
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IDT6116LA20TP
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
24-DIP (0.300", 7.62mm)
Scheda dati
IDT6116SA,LA.pdf
In magazzino: 6550

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IDT6116LA20TP
Specifiche tecniche Renesas Electronics America Inc - IDT6116LA20TP, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas Electronics America Inc - IDT6116LA20TP

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 20ns  
Tensione di alimentazione - 4.5V ~ 5.5V  
Tecnologia SRAM - Asynchronous  
Contenitore dispositivo fornitore 24-PDIP  
Serie -  
Contenitore / involucro 24-DIP (0.300", 7.62mm)  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Through Hole  
Tipo di memoria Volatile  
Dimensione della memoria 16Kbit  
Organizzazione di memoria 2K x 8  
Interfaccia di memoria Parallel  
Formato di memoria SRAM  
Numero di prodotto di base IDT6116  
Tempo di accesso 20 ns  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Renesas Electronics America Inc IDT6116LA20TP

Proprietà del prodotto IDT6116LA20TP IDT6116LA35SO IDT6116LA20TPGI IDT6116LA25SOG
Modello di prodotti IDT6116LA20TP IDT6116LA35SO IDT6116LA20TPGI IDT6116LA25SOG
fabbricante Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc IDT (Renesas Electronics Corporation) IDT (Renesas Electronics Corporation)
Tipo di memoria Volatile Volatile - -
Numero di prodotto di base IDT6116 IDT6116 - -
Tecnologia SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous - -
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 20ns 35ns - -
Contenitore dispositivo fornitore 24-PDIP 24-SOIC - -
Formato di memoria SRAM SRAM - -
Organizzazione di memoria 2K x 8 2K x 8 - -
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA) - -
Tensione di alimentazione - 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V - -
Interfaccia di memoria Parallel Parallel - -
Tempo di accesso 20 ns 35 ns - -
Contenitore / involucro 24-DIP (0.300", 7.62mm) 24-SOIC (0.295', 7.50mm Width) - -
Dimensione della memoria 16Kbit 16Kbit - -
Pacchetto Tube Tube - -
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount - -
Serie - - - -

IDT6116LA20TP Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IDT6116LA20TP PDF e la documentazione Renesas Electronics America Inc per IDT6116LA20TP - Renesas Electronics America Inc.

PCN Design/Specifica
All Dev Label Chg 1/Dec/2022.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 29/Apr/2010.pdf
Schede tecniche
IDT6116SA,LA.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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