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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)PMIC-Gate driverHIP6602BCR
HIP6602BCR Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

HIP6602BCR - Renesas Electronics America Inc

fabbricante Modello di prodotti
HIP6602BCR
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-HIP6602BCR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
16-VQFN Exposed Pad
Scheda dati
Cylindrical Battery Holders.pdf
In magazzino: 7090

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche HIP6602BCR
Specifiche tecniche Renesas Electronics America Inc - HIP6602BCR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas Electronics America Inc - HIP6602BCR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Tensione di alimentazione - 10.8V ~ 13.2V  
Contenitore dispositivo fornitore 16-QFN (5x5)  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 20ns, 20ns  
Contenitore / involucro 16-VQFN Exposed Pad  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio 0°C ~ 125°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 4  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tensione logica - VIL, VIH -  
Tipo di ingresso Non-Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 15 V  
Tipo di porta N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata Half-Bridge  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) -  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Synchronous  
Numero di prodotto di base HIP6602  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Renesas Electronics America Inc HIP6602BCR

Proprietà del prodotto HIP6602BCR HIP6603BCB HIP6602ACB HIP6602BCB-T
Modello di prodotti HIP6602BCR HIP6603BCB HIP6602ACB HIP6602BCB-T
fabbricante Renesas Electronics America Inc Intersil Intersil Renesas Electronics America Inc
temperatura di esercizio 0°C ~ 125°C (TJ) 0°C ~ 125°C (TJ) 0°C ~ 85°C (TA) 0°C ~ 125°C (TJ)
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Synchronous Synchronous Synchronous Synchronous
Tempo di salita / scadenza (Typ) 20ns, 20ns 20ns, 20ns 20ns, 20ns 20ns, 20ns
Tensione logica - VIL, VIH - - - -
Tipo di porta N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Frequenza di ingresso 4 2 4 4
Configurazione guidata Half-Bridge Half-Bridge Full-Bridge Half-Bridge
Pacchetto Tube Tube Bulk Tape & Reel (TR)
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) - - 730mA, - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione di alimentazione - 10.8V ~ 13.2V 10.8V ~ 13.2V 1.8V ~ 13.2V 10.8V ~ 13.2V
Tipo di ingresso Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Numero di prodotto di base HIP6602 HIP6603 HIP6602 HIP6602
Contenitore dispositivo fornitore 16-QFN (5x5) 8-SOIC 14-SOIC 14-SOIC
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 15 V 15 V - 15 V
Contenitore / involucro 16-VQFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 14-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Serie - - - -

HIP6602BCR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica HIP6602BCR PDF e la documentazione Renesas Electronics America Inc per HIP6602BCR - Renesas Electronics America Inc.

Packaging PCN
2.73KHz.pdf
Schede tecniche
Cylindrical Battery Holders.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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HIP6602BCR

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