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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)PMIC-Gate driverHIP2101IR
HIP2101IR Image
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HIP2101IR - Renesas Electronics America Inc

fabbricante Modello di prodotti
HIP2101IR
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-HIP2101IR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
16-VQFN Exposed Pad
Scheda dati
HIP2101IR.pdf
In magazzino: 12250

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche HIP2101IR
Specifiche tecniche Renesas Electronics America Inc - HIP2101IR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas Electronics America Inc - HIP2101IR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Tensione di alimentazione - 9V ~ 14V  
Contenitore dispositivo fornitore 16-QFN (5x5)  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 10ns, 10ns  
Contenitore / involucro 16-VQFN Exposed Pad  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 2  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.2V  
Tipo di ingresso Non-Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 114 V  
Tipo di porta N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata Half-Bridge  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 2A, 2A  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent  
Numero di prodotto di base HIP2101  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Renesas Electronics America Inc HIP2101IR

Proprietà del prodotto HIP2101IR HIP2103FRTAAZ-T HIP2101IR4Z HIP2101IBZT
Modello di prodotti HIP2101IR HIP2103FRTAAZ-T HIP2101IR4Z HIP2101IBZT
fabbricante Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Intersil
Frequenza di ingresso 2 2 2 2
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione di alimentazione - 9V ~ 14V 4.5V ~ 14V 9V ~ 14V 9V ~ 14V
Configurazione guidata Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Tipo di ingresso Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Tipo di porta N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Serie - - - -
Tempo di salita / scadenza (Typ) 10ns, 10ns 8ns, 2ns 10ns, 10ns 10ns, 10ns
Contenitore dispositivo fornitore 16-QFN (5x5) 8-TDFN (3x3) 12-DFN (4x4) 8-SOIC
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tube Bulk
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 114 V 60 V 114 V 114 V
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.2V 1.63V, 2.06V 0.8V, 2.2V 0.8V, 2.2V
Contenitore / involucro 16-VQFN Exposed Pad 8-WDFN Exposed Pad 12-VFDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent Independent Independent Independent
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 2A, 2A 1A, 1A 2A, 2A 2A, 2A
Numero di prodotto di base HIP2101 HIP2103 HIP2101 HIP2101

HIP2101IR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica HIP2101IR PDF e la documentazione Renesas Electronics America Inc per HIP2101IR - Renesas Electronics America Inc.

Packaging PCN
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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