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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)PMIC-Gate driverHIP2100IBT
HIP2100IBT Image
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OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

HIP2100IBT - Renesas Electronics America Inc

fabbricante Modello di prodotti
HIP2100IBT
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-HIP2100IBT
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Pacchetto
8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Scheda dati
HIP2100IBT.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 14750

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Specifiche

Specifiche tecnologiche HIP2100IBT
Specifiche tecniche Renesas Electronics America Inc - HIP2100IBT, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas Electronics America Inc - HIP2100IBT

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Tensione di alimentazione - 9V ~ 14V  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 10ns, 10ns  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 2  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tensione logica - VIL, VIH 4V, 7V  
Tipo di ingresso Non-Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 114 V  
Tipo di porta N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata Half-Bridge  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 2A, 2A  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent  
Numero di prodotto di base HIP2100  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS RoHS non conforme
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8542.39.0001

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Renesas Electronics America Inc HIP2100IBT

Proprietà del prodotto HIP2100IBT HIP2101IB HIP2100IRZ HIP2100IBZT
Modello di prodotti HIP2100IBT HIP2101IB HIP2100IRZ HIP2100IBZT
fabbricante Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
Tipo di porta N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Tipo di ingresso Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 2A, 2A 2A, 2A 2A, 2A 2A, 2A
Frequenza di ingresso 2 2 2 2
Tempo di salita / scadenza (Typ) 10ns, 10ns 10ns, 10ns 10ns, 10ns 10ns, 10ns
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 16-VQFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 16-QFN (5x5) 8-SOIC
Tensione logica - VIL, VIH 4V, 7V 0.8V, 2.2V 4V, 7V 4V, 7V
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 114 V 114 V 114 V 114 V
Serie - - - -
Configurazione guidata Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Tensione di alimentazione - 9V ~ 14V 9V ~ 14V 9V ~ 14V 9V ~ 14V
Numero di prodotto di base HIP2100 HIP2101 HIP2100 HIP2100
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent Independent Independent Independent
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

HIP2100IBT Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica HIP2100IBT PDF e la documentazione Renesas Electronics America Inc per HIP2100IBT - Renesas Electronics America Inc.

Packaging PCN
2.73KHz.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Cylindrical Battery Holders.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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