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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloHAT2299WP-EL-E
Renesas Electronics America Inc
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

HAT2299WP-EL-E - Renesas Electronics America Inc

fabbricante Modello di prodotti
HAT2299WP-EL-E
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-HAT2299WP-EL-E
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 150V 14A 8WPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerWDFN
Scheda dati
HAT2299WP-EL-E.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3890

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Specifiche

Specifiche tecnologiche HAT2299WP-EL-E
Specifiche tecniche Renesas Electronics America Inc - HAT2299WP-EL-E, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas Electronics America Inc - HAT2299WP-EL-E

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (max) a Id -  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-WPAK (3)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 110mOhm @ 7A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 25W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerWDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 710 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 150 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Ta)  
Numero di prodotto di base HAT2299  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Renesas Electronics America Inc HAT2299WP-EL-E

Proprietà del prodotto HAT2299WP-EL-E HAT2287WP-EL-E HAT2279H-EL-E HAT2279N-EL-E
Modello di prodotti HAT2299WP-EL-E HAT2287WP-EL-E HAT2279H-EL-E HAT2279N-EL-E
fabbricante Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
Contenitore / involucro 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN SC-100, SOT-669 8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 150 V 200 V 80 V 80 V
Numero di prodotto di base HAT2299 HAT2287 HAT2279 -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Ta) 17A (Ta) 30A (Ta) 30A (Ta)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 710 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 3520 pF @ 10 V 3520 pF @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 110mOhm @ 7A, 10V 94mOhm @ 8.5A, 10V 12mOhm @ 15A, 10V 12.3mOhm @ 15A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 25W (Tc) 30W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V -
Serie - - - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore 8-WPAK (3) 8-WPAK (3) LFPAK 8-LFPAK-iV
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 4.5V, 10V -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

HAT2299WP-EL-E Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica HAT2299WP-EL-E PDF e la documentazione Renesas Electronics America Inc per HAT2299WP-EL-E - Renesas Electronics America Inc.

Packaging PCN
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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