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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloHAT2173H-EL-E
Renesas Electronics America Inc
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

HAT2173H-EL-E - Renesas Electronics America Inc

fabbricante Modello di prodotti
HAT2173H-EL-E
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-HAT2173H-EL-E
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-100, SOT-669
Scheda dati
HAT2173H-EL-E.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5120

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Specifiche

Specifiche tecnologiche HAT2173H-EL-E
Specifiche tecniche Renesas Electronics America Inc - HAT2173H-EL-E, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas Electronics America Inc - HAT2173H-EL-E

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 6V @ 20mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 15mOhm @ 12.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 30W (Tc)  
Contenitore / involucro SC-100, SOT-669  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4350 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 61 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Ta)  
Numero di prodotto di base HAT2173  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Renesas Electronics America Inc HAT2173H-EL-E

Proprietà del prodotto HAT2173H-EL-E HAT2170H-EL-E HAT2171H-EL-E HAT2173N-EL-E
Modello di prodotti HAT2173H-EL-E HAT2170H-EL-E HAT2171H-EL-E HAT2173N-EL-E
fabbricante Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK LFPAK LFPAK 8-LFPAK-iV
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Ta) 45A (Ta) 40A (Ta) 25A (Ta)
Dissipazione di potenza (max) 30W (Tc) 30W (Tc) 25W (Tc) 30W (Tc)
Numero di prodotto di base HAT2173 HAT2170 HAT2171 -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4350 pF @ 10 V 4650 pF @ 10 V 3750 pF @ 10 V 4350 pF @ 10 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 15mOhm @ 12.5A, 10V 4.2mOhm @ 22.5A, 10V 4.8mOhm @ 20A, 10V 15.3mOhm @ 12.5A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 61 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669 8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V 7V, 10V 7V, 10V -
Serie - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 40 V 40 V 100 V
Vgs (th) (max) a Id 6V @ 20mA 3V @ 1mA - 6V @ 20mA

HAT2173H-EL-E Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica HAT2173H-EL-E PDF e la documentazione Renesas Electronics America Inc per HAT2173H-EL-E - Renesas Electronics America Inc.

Packaging PCN
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf

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Europa Germania 5
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