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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloHAT2169H-EL-E
Renesas Electronics America Inc
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

HAT2169H-EL-E - Renesas Electronics America Inc

fabbricante Modello di prodotti
HAT2169H-EL-E
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-HAT2169H-EL-E
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-100, SOT-669
Scheda dati
HAT2169H-EL-E.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3720

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Specifiche

Specifiche tecnologiche HAT2169H-EL-E
Specifiche tecniche Renesas Electronics America Inc - HAT2169H-EL-E, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas Electronics America Inc - HAT2169H-EL-E

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.5mOhm @ 25A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 30W (Tc)  
Contenitore / involucro SC-100, SOT-669  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6650 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Ta)  
Numero di prodotto di base HAT2169  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Renesas Electronics America Inc HAT2169H-EL-E

Proprietà del prodotto HAT2169H-EL-E HAT2172H-EL-E HAT2168H-EL-E HAT2172N-EL-E
Modello di prodotti HAT2169H-EL-E HAT2172H-EL-E HAT2168H-EL-E HAT2172N-EL-E
fabbricante Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 30W (Tc) 20W (Tc) 15W (Tc) 20W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6650 pF @ 10 V 2420 pF @ 10 V 1730 pF @ 10 V 2420 pF @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 7V, 10V 4.5V, 10V -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Ta) 30A (Ta) 30A (Ta) 30A (Ta)
Numero di prodotto di base HAT2169 HAT2172 HAT2168 -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Rds On (max) a Id, Vgs 3.5mOhm @ 25A, 10V 7.5mOhm @ 15A, 10V 7.9mOhm @ 15A, 10V 7.8mOhm @ 15A, 10V
Contenitore / involucro SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669 8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 4.5 V 32 nC @ 10 V 11 nC @ 4.5 V 32 nC @ 10 V
Serie - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 30 V 40 V
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK LFPAK LFPAK 8-LFPAK-iV
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA 3V @ 1mA - -

HAT2169H-EL-E Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica HAT2169H-EL-E PDF e la documentazione Renesas Electronics America Inc per HAT2169H-EL-E - Renesas Electronics America Inc.

Packaging PCN
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf

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