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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)Memoria71V424S10YG
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

71V424S10YG - Renesas Electronics America Inc

fabbricante Modello di prodotti
71V424S10YG
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-71V424S10YG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
Descrizione dettagliata
Pacchetto
36-BSOJ (0.400', 10.16mm Width)
Scheda dati
IDT Suffixes.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5893

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Specifiche

Specifiche tecnologiche 71V424S10YG
Specifiche tecniche Renesas Electronics America Inc - 71V424S10YG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas Electronics America Inc - 71V424S10YG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 10ns  
Tensione di alimentazione - 3V ~ 3.6V  
Tecnologia SRAM - Asynchronous  
Contenitore dispositivo fornitore 36-SOJ  
Serie -  
Contenitore / involucro 36-BSOJ (0.400', 10.16mm Width)  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tipo di memoria Volatile  
Dimensione della memoria 4Mbit  
Organizzazione di memoria 512K x 8  
Interfaccia di memoria Parallel  
Formato di memoria SRAM  
Numero di prodotto di base 71V424  
Tempo di accesso 10 ns  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Renesas Electronics America Inc 71V424S10YG

Proprietà del prodotto 71V424S10YG 71V416VS10PHG 71V424L15YG 71V546S133PF
Modello di prodotti 71V424S10YG 71V416VS10PHG 71V424L15YG 71V546S133PF
fabbricante Renesas Electronics America Inc IDT, Integrated Device Technology Inc IDT, Integrated Device Technology Inc IDT, Integrated Device Technology Inc
Tipo di memoria Volatile Volatile Volatile Volatile
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro 36-BSOJ (0.400', 10.16mm Width) 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 100-LQFP
Contenitore dispositivo fornitore 36-SOJ 44-TSOP II 36-SOJ 100-TQFP (14x14)
Tecnologia SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Tempo di accesso 10 ns 10 ns 15 ns 4.2 ns
Organizzazione di memoria 512K x 8 256K x 16 512K x 8 128K x 36
Dimensione della memoria 4Mbit 4Mbit 4Mbit 4.5Mbit
Formato di memoria SRAM SRAM SRAM SRAM
Numero di prodotto di base 71V424 71V416V 71V424 71V546
Serie - - - -
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 10ns 10ns 15ns -
Interfaccia di memoria Parallel Parallel Parallel Parallel
Pacchetto Tube Bulk Bulk Bulk
Tensione di alimentazione - 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3.135V ~ 3.465V
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA)

71V424S10YG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 71V424S10YG PDF e la documentazione Renesas Electronics America Inc per 71V424S10YG - Renesas Electronics America Inc.

PCN Design/Specifica
Cylindrical Battery Holders.pdf
Foglio dati HTML
IDT Suffixes.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 19/Jan/2022.pdf Mult Dev EOL 28/Feb/2022.pdf
Assemblaggio/origine PCN
2.73KHz.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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