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Casa Centro di prodotti Circuiti integrati (ICS)Memoria~~70V657S12BF~~

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~~Collezione~~

70V657S12BF - Renesas Electronics America Inc

fabbricante Modello di prodotti: 70V657S12BF

fabbricante: Renesas Electronics Corporation

Allelco Modello di prodotti: 32D-70V657S12BF

Modello ECAD

Descrizione delle parti: IC SRAM 1.125MBIT PAR 208CABGA

Descrizione dettagliata

Pacchetto: 208-LFBGA

Scheda dati: IDT Suffixes.pdf

~~Confronto~~

In magazzino: 320

Specifiche

Specifiche tecnologiche 70V657S12BF
Specifiche tecniche Renesas Electronics America Inc - 70V657S12BF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas Electronics America Inc - 70V657S12BF

Proprietà del prodotto	Valori degli attributi
fabbricante	Renesas Electronics Corporation
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina	12ns
Tensione di alimentazione -	3.15V ~ 3.45V
Tecnologia	SRAM - Dual Port, Asynchronous
Contenitore dispositivo fornitore	208-CABGA (15x15)
Serie	-
Contenitore / involucro	208-LFBGA
Pacchetto	Tray
temperatura di esercizio	0°C ~ 70°C (TA)

Proprietà del prodotto	Valori degli attributi
Tipo montaggio	Surface Mount
Tipo di memoria	Volatile
Dimensione della memoria	1.125Mbit
Organizzazione di memoria	32K x 36
Interfaccia di memoria	Parallel
Formato di memoria	SRAM
Numero di prodotto di base	70V657
Tempo di accesso	12 ns

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Renesas Electronics America Inc 70V657S12BF

Proprietà del prodotto
Modello di prodotti	70V657S12BF	70V3379S4PRFG	CAT24C04VP2I-GT3	SST25VF080B-80-4C-QAE
fabbricante	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc	onsemi	Microchip Technology
Pacchetto	Tray	Tray	Tape & Reel (TR)	Tube
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina	12ns	-	5ms	10µs
Organizzazione di memoria	32K x 36	32K x 18	512 x 8	1M x 8
Interfaccia di memoria	Parallel	Parallel	I²C	SPI
Numero di prodotto di base	70V657	70V3379	CAT24C04	SST25VF080
Tensione di alimentazione -	3.15V ~ 3.45V	3.15V ~ 3.45V	1.7V ~ 5.5V	2.7V ~ 3.6V
Serie	-	-	-	SST25
Contenitore dispositivo fornitore	208-CABGA (15x15)	128-TQFP (14x20)	8-TDFN (2x3)	8-WSON
Formato di memoria	SRAM	SRAM	EEPROM	FLASH
Contenitore / involucro	208-LFBGA	128-LQFP	8-WFDFN Exposed Pad	8-WDFN Exposed Pad
Tipo di memoria	Volatile	Volatile	Non-Volatile	Non-Volatile
Tipo montaggio	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Tempo di accesso	12 ns	4.2 ns	900 ns	-
temperatura di esercizio	0°C ~ 70°C (TA)	0°C ~ 70°C (TA)	-40°C ~ 85°C (TA)	0°C ~ 70°C (TA)
Dimensione della memoria	1.125Mbit	576Kbit	4Kbit	8Mbit
Tecnologia	SRAM - Dual Port, Asynchronous	SRAM - Dual Port, Synchronous	EEPROM	FLASH

70V657S12BF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 70V657S12BF PDF e la documentazione Renesas Electronics America Inc per 70V657S12BF - Renesas Electronics America Inc.

PCN Design/Specifica: Cylindrical Battery Holders.pdf
Foglio dati HTML: IDT Suffixes.pdf

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Regione	Paese	Tempo logistico (giorno)
America	stati Uniti	5
America	Brasile	7
Europa	Germania	5
	Regno Unito	4
	Italia	5
Oceania	Australia	6
Oceania	Nuova Zelanda	5
Asia	India	4
Asia	Giappone	4
Medio Oriente	Israele	6

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Accuse di spedizione (kg)	Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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