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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singolo2SK2109-T1-AZ
Renesas
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

2SK2109-T1-AZ - Renesas

fabbricante Modello di prodotti
2SK2109-T1-AZ
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-2SK2109-T1-AZ
Modello ECAD
Descrizione delle parti
2SK2109-T1-AZ - N-CHANNEL MOS FE
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-243AA
Scheda dati
2SK2109-T1-AZ.pdf
In magazzino: 78400

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Specifiche

Specifiche tecnologiche 2SK2109-T1-AZ
Specifiche tecniche Renesas - 2SK2109-T1-AZ, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas - 2SK2109-T1-AZ

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SC-62  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 800mOhm @ 300mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-243AA  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio 150°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 111 pF @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 500mA (Ta)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Renesas 2SK2109-T1-AZ

Proprietà del prodotto 2SK2109-T1-AZ 2SK2103T100 2SK2103 T100 2SK2103
Modello di prodotti 2SK2109-T1-AZ 2SK2103T100 2SK2103 T100 2SK2103
fabbricante Renesas Rohm Semiconductor LAPIS Technology LAPIS Technology
Contenitore / involucro TO-243AA TO-243AA - -
temperatura di esercizio 150°C 150°C (TJ) - -
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 111 pF @ 10 V 230 pF @ 10 V - -
Serie - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel - -
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA 2.5V @ 1mA - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 500mA (Ta) 2A (Ta) - -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 30 V - -
Contenitore dispositivo fornitore SC-62 MPT3 - -
Rds On (max) a Id, Vgs 800mOhm @ 300mA, 10V 400mOhm @ 1A, 10V - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 10V - -
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta) 500mW (Ta) - -
Caratteristica FET - - - -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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