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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singolo2SK1954-Z-E1-AZ
Renesas
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

2SK1954-Z-E1-AZ - Renesas

fabbricante Modello di prodotti
2SK1954-Z-E1-AZ
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-2SK1954-Z-E1-AZ
Modello ECAD
Descrizione delle parti
2SK1954-Z - Silicon N Channel MO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
2SK1954-Z-E1-AZ.pdf
In magazzino: 4430

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Specifiche

Specifiche tecnologiche 2SK1954-Z-E1-AZ
Specifiche tecniche Renesas - 2SK1954-Z-E1-AZ, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas - 2SK1954-Z-E1-AZ

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore MP-3Z  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 650mOhm @ 2A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta), 20W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 180 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Ta)  

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Proprietà del prodotto 2SK1954-Z-E1-AZ 2SK1958-T1-A 2SK1959-T1-AZ 2SK1944
Modello di prodotti 2SK1954-Z-E1-AZ 2SK1958-T1-A 2SK1959-T1-AZ 2SK1944
fabbricante Renesas Renesas Renesas Electronics America Inc FUJI
temperatura di esercizio 150°C 150°C - -
Pacchetto Bulk Bulk Bulk -
Rds On (max) a Id, Vgs 650mOhm @ 2A, 10V 12Ohm @ 10mA, 4V - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 1.5V, 4V - -
Tipo FET N-Channel N-Channel - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA 1.1V @ 10µA - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Ta) 100mA (Ta) - -
Serie - - * -
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width) - -
Contenitore dispositivo fornitore MP-3Z 8-MMPAK - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Vgs (Max) ±20V ±7V - -
Tensione drain-source (Vdss) 180 V 16 V - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 10 V 10 pF @ 3 V - -
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta), 20W (Tc) 150mW (Ta) - -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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