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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singolo2SJ649-AZ
Renesas Electronics America Inc
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

2SJ649-AZ - Renesas Electronics America Inc

fabbricante Modello di prodotti
2SJ649-AZ
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-2SJ649-AZ
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 60V 20A TO220
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Isolated Tab
Scheda dati
2SJ649-AZ.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4090

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 2SJ649-AZ
Specifiche tecniche Renesas Electronics America Inc - 2SJ649-AZ, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas Electronics America Inc - 2SJ649-AZ

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (max) a Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 Isolated Tab  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 48mOhm @ 10A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 25W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Isolated Tab  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)  
Numero di prodotto di base 2SJ649  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Renesas Electronics America Inc 2SJ649-AZ

Proprietà del prodotto 2SJ649-AZ 2SJ654 2SJ652-1E 2SJ651
Modello di prodotti 2SJ649-AZ 2SJ654 2SJ652-1E 2SJ651
fabbricante Renesas Electronics America Inc onsemi onsemi onsemi
Vgs (Max) ±20V - ±20V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id - - - -
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 25W (Tc) - 2W (Ta), 30W (Tc) 2W (Ta), 25W (Tc)
Tipo montaggio Through Hole - Through Hole Through Hole
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V - 80 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
Serie - * - -
Rds On (max) a Id, Vgs 48mOhm @ 10A, 10V - 38mOhm @ 14A, 10V 60mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) - 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-220-3 Isolated Tab - TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 Isolated Tab - TO-220F-3SG TO-220ML
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V - 4V, 10V -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 10 V - 4360 pF @ 20 V 2200 pF @ 20 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc) - 28A (Ta) 20A (Ta)
Numero di prodotto di base 2SJ649 - 2SJ652 -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V - 60 V 60 V
Tipo FET P-Channel - P-Channel P-Channel
Pacchetto Bulk Bulk Tube Bulk

2SJ649-AZ Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 2SJ649-AZ PDF e la documentazione Renesas Electronics America Inc per 2SJ649-AZ - Renesas Electronics America Inc.

Packaging PCN
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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