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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singolo2SJ621-T1B-AT
Renesas Electronics America Inc
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

2SJ621-T1B-AT - Renesas Electronics America Inc

fabbricante Modello di prodotti
2SJ621-T1B-AT
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-2SJ621-T1B-AT
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 12V SC-96 SOT-23
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-96
Scheda dati
2SJ621-T1B-AT.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 187410

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Specifiche

Specifiche tecnologiche 2SJ621-T1B-AT
Specifiche tecniche Renesas Electronics America Inc - 2SJ621-T1B-AT, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas Electronics America Inc - 2SJ621-T1B-AT

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SC-96-3, Thin Mini Mold  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 44mOhm @ 2A, 4.5V  
Contenitore / involucro SC-96  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.2 nC @ 4 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 12 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Renesas Electronics America Inc 2SJ621-T1B-AT

Proprietà del prodotto 2SJ621-T1B-AT 2SJ624-T1B-AT 2SJ616-TD-E 2SJ616
Modello di prodotti 2SJ621-T1B-AT 2SJ624-T1B-AT 2SJ616-TD-E 2SJ616
fabbricante Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc onsemi REN
Tipo FET P-Channel P-Channel - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Ta) 4.5A (Ta) - -
Contenitore / involucro SC-96 SC-96 - -
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 1mA 1.5V @ 1mA - -
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 10 V 813 pF @ 10 V - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.2 nC @ 4 V 8.1 nC @ 4 V - -
Tensione drain-source (Vdss) 12 V 20 V - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - -
Rds On (max) a Id, Vgs 44mOhm @ 2A, 4.5V 54mOhm @ 2.5A, 4.5V - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk -
Contenitore dispositivo fornitore SC-96-3, Thin Mini Mold SC-96-3, Thin Mini Mold - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Serie - - * -

2SJ621-T1B-AT Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 2SJ621-T1B-AT PDF e la documentazione Renesas Electronics America Inc per 2SJ621-T1B-AT - Renesas Electronics America Inc.

Packaging PCN
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 28/Aug/2013.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Wafer Fabrication Site Change 10/Oct/2013.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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