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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singolo2SA812B-T1B-AT
Renesas
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

2SA812B-T1B-AT - Renesas

fabbricante Modello di prodotti
2SA812B-T1B-AT
fabbricante
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-2SA812B-T1B-AT
Modello ECAD
Descrizione delle parti
2SA812B-T1B-AT - PNP SILICON EPI
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
2SA812B-T1B-AT.pdf
In magazzino: 598950

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Specifiche

Specifiche tecnologiche 2SA812B-T1B-AT
Specifiche tecniche Renesas - 2SA812B-T1B-AT, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Renesas - 2SA812B-T1B-AT

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Renesas Electronics Corporation  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA  
Tipo transistor PNP  
Contenitore dispositivo fornitore 3-MINIMOLD  
Serie -  
Potenza - Max 200 mW  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 180MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 1mA, 6V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 100 mA  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Renesas 2SA812B-T1B-AT

Proprietà del prodotto 2SA812B-T1B-AT 2SA812A-T1B-AT 2SA812SLT1 2SA817A-Y
Modello di prodotti 2SA812B-T1B-AT 2SA812A-T1B-AT 2SA812SLT1 2SA817A-Y
fabbricante Renesas Renesas Electronics America Inc LRC TOS
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50 V - - -
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO) - - -
Potenza - Max 200 mW - - -
Tipo montaggio Surface Mount - - -
Contenitore dispositivo fornitore 3-MINIMOLD - - -
Pacchetto Bulk Bulk - -
Corrente - collettore (Ic) (max) 100 mA - - -
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - - -
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 1mA, 6V - - -
Frequenza - transizione 180MHz - - -
Serie - * - -
Tipo transistor PNP - - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) - - -
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA - - -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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