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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRFD16N05
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

RFD16N05 - Harris Corporation

fabbricante Modello di prodotti
RFD16N05
fabbricante
Harris Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-RFD16N05
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 50V 16A IPAK
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
RFD16N05.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 30350

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Specifiche

Specifiche tecnologiche RFD16N05
Specifiche tecniche Harris Corporation - RFD16N05, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Harris Corporation - RFD16N05

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Harris Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 47mOhm @ 16A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 72W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 20 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 50 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Tc)  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS RoHS non conforme
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Raggiungere lo stato
ECCN EAR99
HTSUS

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Harris Corporation RFD16N05

Proprietà del prodotto RFD16N05 RFD16N05LSM RFD16N05 RFD16N05LSM
Modello di prodotti RFD16N05 RFD16N05LSM RFD16N05 RFD16N05LSM
fabbricante Harris Corporation Harris Corporation Fairchild Semiconductor onsemi
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Dissipazione di potenza (max) 72W (Tc) 60W (Tc) 72W (Tc) 60W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 47mOhm @ 16A, 10V 47mOhm @ 16A, 5V 47mOhm @ 16A, 10V 47mOhm @ 16A, 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V - 900 pF @ 25 V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 50 V 50 V 50 V 50 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK TO-252AA I-PAK TO-252AA
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Tc) 16A (Tc) 16A (Tc) 16A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 2V @ 250mA 4V @ 250µA 2V @ 250mA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4V, 5V 10V 4V, 5V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Serie - - - -
Vgs (Max) ±20V ±10V ±20V ±10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 20 V 80 nC @ 10 V 80 nC @ 20 V 80 nC @ 10 V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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