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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRFD14N05L
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

RFD14N05L - Harris Corporation

fabbricante Modello di prodotti
RFD14N05L
fabbricante
Harris Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-RFD14N05L
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 50V 14A IPAK
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
RFD14N05L.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 5480

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Specifiche

Specifiche tecnologiche RFD14N05L
Specifiche tecniche Harris Corporation - RFD14N05L, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Harris Corporation - RFD14N05L

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Harris Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 14A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 48W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 50 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Tc)  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS RoHS non conforme
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Raggiungere lo stato
ECCN EAR99
HTSUS

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Harris Corporation RFD14N05L

Proprietà del prodotto RFD14N05L RFD14N05L RFD12N06RLESM9A RFD14N05SM
Modello di prodotti RFD14N05L RFD14N05L RFD12N06RLESM9A RFD14N05SM
fabbricante Harris Corporation onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Serie - - UltraFET™ -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Tc) 14A (Tc) 18A (Tc) 14A (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dissipazione di potenza (max) 48W (Tc) 48W (Tc) 49W (Tc) 48W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 50 V 50 V 60 V 50 V
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK I-PAK TO-252, (D-Pak) TO-252, (D-Pak)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V 485 pF @ 25 V 570 pF @ 25 V
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 40 nC @ 20 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V 5V 4.5V, 10V 10V
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±10V ±10V ±16V ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 14A, 5V 100mOhm @ 14A, 5V 63mOhm @ 18A, 10V 100mOhm @ 14A, 10V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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