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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloPJW5N10_R2_00001
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

PJW5N10_R2_00001 - Panjit International Inc.

fabbricante Modello di prodotti
PJW5N10_R2_00001
fabbricante
PANJIT
Allelco Modello di prodotti
32D-PJW5N10_R2_00001
Modello ECAD
Descrizione delle parti
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
PJW5N10.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 257190

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Specifiche

Specifiche tecnologiche PJW5N10_R2_00001
Specifiche tecniche Panjit International Inc. - PJW5N10_R2_00001, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Panjit International Inc. - PJW5N10_R2_00001

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante PANJIT  
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 130mOhm @ 2.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 707 pF @ 30 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.1A (Ta), 5A (Tc)  
Numero di prodotto di base PJW5N10  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Panjit International Inc. PJW5N10_R2_00001

Proprietà del prodotto PJW5N10_R2_00001 IRFP3415PBF PJW5N10A_R2_00001 FQP17N08
Modello di prodotti PJW5N10_R2_00001 IRFP3415PBF PJW5N10A_R2_00001 FQP17N08
fabbricante Panjit International Inc. Infineon Technologies Panjit International Inc. onsemi
Rds On (max) a Id, Vgs 130mOhm @ 2.5A, 10V 42mOhm @ 22A, 10V 115mOhm @ 4A, 10V 115mOhm @ 8.25A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223 TO-247AC SOT-223 TO-220-3
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta) 200W (Tc) 3.1W (Ta), 5.2W (Tc) 65W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie - HEXFET® - QFET®
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 150 V 100 V 80 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V
Numero di prodotto di base PJW5N10 IRFP3415 PJW5N10 FQP1
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA TO-247-3 TO-261-4, TO-261AA TO-220-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.1A (Ta), 5A (Tc) 43A (Tc) 3.5A (Ta), 5A (Tc) 16.5A (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 707 pF @ 30 V 2400 pF @ 25 V 1413 pF @ 25 V 450 pF @ 25 V
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±25V

PJW5N10_R2_00001 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica PJW5N10_R2_00001 PDF e la documentazione Panjit International Inc. per PJW5N10_R2_00001 - Panjit International Inc..

Schede tecniche
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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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