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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloPSMN6R9-100YSFX
Nexperia USA Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

PSMN6R9-100YSFX - Nexperia USA Inc.

fabbricante Modello di prodotti
PSMN6R9-100YSFX
fabbricante
Nexperia
Allelco Modello di prodotti
32D-PSMN6R9-100YSFX
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 100A LFPAK56
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-100, SOT-669
Scheda dati
PSMN6R9-100YSF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 23765

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche PSMN6R9-100YSFX
Specifiche tecniche Nexperia USA Inc. - PSMN6R9-100YSFX, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Nexperia USA Inc. - PSMN6R9-100YSFX

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Nexperia  
Vgs (th) (max) a Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK56, Power-SO8  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs -  
Dissipazione di potenza (max) 238W  
Contenitore / involucro SC-100, SOT-669  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 50.3 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)  
Numero di prodotto di base PSMN6R9  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Nexperia USA Inc. PSMN6R9-100YSFX

Proprietà del prodotto PSMN6R9-100YSFX PSMN7R0-30MLC PSMN7R0-100PS127 PSMN6R0-30YLDX
Modello di prodotti PSMN6R9-100YSFX PSMN7R0-30MLC PSMN7R0-100PS127 PSMN6R0-30YLDX
fabbricante Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP Semiconductors Nexperia USA Inc.
Tipo FET N-Channel - - N-Channel
Tipo montaggio Surface Mount - - Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 50.3 nC @ 10 V - - 13.7 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 238W - - 47W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - - MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK56, Power-SO8 - - LFPAK56, Power-SO8
Tensione drain-source (Vdss) 100 V - - 30 V
Serie - * * -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) - - 66A (Tc)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V - - ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs - - - 6mOhm @ 15A, 10V
Contenitore / involucro SC-100, SOT-669 - - SC-100, SOT-669
Vgs (th) (max) a Id - - - 2.2V @ 1mA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V - - 4.5V, 10V
Numero di prodotto di base PSMN6R9 - - PSMN6R0
temperatura di esercizio 175°C (TJ) - - -55°C ~ 175°C (TJ)

PSMN6R9-100YSFX Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica PSMN6R9-100YSFX PDF e la documentazione Nexperia USA Inc. per PSMN6R9-100YSFX - Nexperia USA Inc..

Packaging PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf
Schede tecniche
PSMN6R9-100YSF.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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