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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloPSMN1R2-30YLDX
Nexperia USA Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

PSMN1R2-30YLDX - Nexperia USA Inc.

fabbricante Modello di prodotti
PSMN1R2-30YLDX
fabbricante
Nexperia
Allelco Modello di prodotti
32D-PSMN1R2-30YLDX
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-100, SOT-669
Scheda dati
PSMN1R2-30YLD.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 25217

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Specifiche

Specifiche tecnologiche PSMN1R2-30YLDX
Specifiche tecniche Nexperia USA Inc. - PSMN1R2-30YLDX, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Nexperia USA Inc. - PSMN1R2-30YLDX

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Nexperia  
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK56, Power-SO8  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.24mOhm @ 25A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 194W (Tc)  
Contenitore / involucro SC-100, SOT-669  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4616 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)  
Numero di prodotto di base PSMN1R2  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Nexperia USA Inc. PSMN1R2-30YLDX

Proprietà del prodotto PSMN1R2-30YLDX PSMN1R5-30BLEJ PSMN1R4-30YLDX PSMN1R3-30YL,115
Modello di prodotti PSMN1R2-30YLDX PSMN1R5-30BLEJ PSMN1R4-30YLDX PSMN1R3-30YL,115
fabbricante Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 1.24mOhm @ 25A, 10V 1.5mOhm @ 25A, 10V 1.42mOhm @ 25A, 10V 1.3mOhm @ 15A, 10V
Numero di prodotto di base PSMN1R2 PSMN1R5 PSMN1R4 PSMN1R3
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V 228 nC @ 10 V 54.8 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 194W (Tc) 401W (Tc) 166W (Tc) 121W (Tc)
Serie - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) 120A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK56, Power-SO8 D2PAK LFPAK56, Power-SO8 LFPAK56; Power-SO8
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro SC-100, SOT-669 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB SC-100, SOT-669 SOT-1023, 4-LFPAK
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 1mA 2.15V @ 1mA 2.2V @ 1mA 2.15V @ 1mA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4616 pF @ 15 V 14934 pF @ 15 V 3840 pF @ 15 V 6227 pF @ 12 V

PSMN1R2-30YLDX Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica PSMN1R2-30YLDX PDF e la documentazione Nexperia USA Inc. per PSMN1R2-30YLDX - Nexperia USA Inc..

Packaging PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Label Chg 12/Mar/2017.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Wafer Test Chgs 4/Feb/2022.pdf
Schede tecniche
PSMN1R2-30YLD.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
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Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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